90秒(miǎo)了解功率半導體(tǐ)分(fēn)立器件分(fēn)類有哪些！

一、按照功率處理(lǐ)能(néng)力，分(fēn)為(wèi)低壓小(xiǎo)功率半導體(tǐ)分(fēn)立器件、 率半導體(tǐ)分(fēn)立器件、大功率半導體(tǐ)分(fēn)立器件和高壓特大功率半導體(tǐ)分(fēn)立器件。

二、按照控制電(diàn)路信号對器件的控制程度，可(kě)分(fēn)為(wèi)不可(kě)控型、半控型和全控型。

不可(kě)控器件：不能(néng)通過控制信号來控制其通斷的功率半導體(tǐ)分(fēn)立器件， 器件為(wèi)功率二極管；

半控器件：通過控制信号能(néng)夠控制其導通而不能(néng)控制其關斷的功率半導體(tǐ)分(fēn)立器件， 器件為(wèi)晶閘管及其大部分(fēn)派生器件；

全控器件：通過控制信号既能(néng)夠控制其導通，又能(néng)夠控制其關斷的功率半導體(tǐ)分(fēn)立器件， 器件有絕緣栅雙極晶體(tǐ)管、功率場效應晶體(tǐ)管、門極可(kě)關斷晶閘管等；

三、按照器件内部電(diàn)子和空穴兩種載流子參與導電(diàn)的情況，可(kě)分(fēn)為(wèi)單極型器件、雙極型器件和複合型器件。

電(diàn)流驅動型：通過從控制端注入或抽出電(diàn)流實現其關斷的功率半導體(tǐ)分(fēn)立器件。

電(diàn)壓驅動型：通過在控制端和公共端之間施加一定的電(diàn)壓信号實現導通或關斷的功率半導體(tǐ)器件。

四、按照功率半導體(tǐ)器件襯底材料的不同，現有的功率半導體(tǐ)分(fēn)立器件的材料可(kě)分(fēn)為(wèi)三代：

代半導體(tǐ)材料主要是以鍺（早期産品，現已不常見）和矽為(wèi) 。

第二代半導體(tǐ)材料主要是以砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）為(wèi) 的化合物(wù)半導體(tǐ)材料。

第三代半導體(tǐ)材料主要是以即碳化矽（SiC）、氮化镓（GaN）為(wèi) 的寬禁帶半導體(tǐ)材料。